1879年Edwin H. Hall发现了霍尔效应。霍尔效应的本质是：固体材料中的载流子在外加磁场中运动时，因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移，并在材料两侧产生电荷积累，形成垂直于电流方向的电场，最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡，从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压。正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数。平行电场和电流强度之比就是电阻率。大量的研究揭示：参加材料导电过程的不仅有带负电的电子，还有带正电的空穴。 多样的固有物理性质会影响材料的电子表现。大多数这些表现都是与热电相关的。其中的一些效应可通过控制样品周围的温度来减小样品中的热梯度的方式来减弱。Lake Shore的霍尔效应测试系统可控制温度和磁场强度来产生正确、可靠的霍尔效应和电子传输测量结果。霍尔效应已被广泛的用于测量半导体和金属的电子传输特性。
霍尔效应和电子传输测量对于诸多半导体材料如：Si、Ge、GaAs、GaN、AlGaAs、CdTe、HgCdTe, 和磁控电阻器。GMR薄膜，高温超导体的性质测量来说，意义重大。传送霍尔效应的测量可使您获得更多的信息。传送霍尔效应测量很适合进行。Lake Shore 霍尔效应/电子传输测量系统是一种先进的用于分析材料电传特性的系统，操作简单、精确，允许用户既可测量样品的温度也可测量样品的磁通。
可测试材料：
半导体、金属、超导体；薄膜和块状材料；单晶和多晶；单载流子和多载流子。
应用:
测量分析载流子分布，以评估多层材料特性，并测量多载流子的具体性能。
通过测量活动载流子的密度来检查掺杂效力。
检查诸如：CVD和MBE的半导体生长系统的纯度。
控制半导体生产中的质量。